Твердотельные накопители IRDM M.2 оснащены интерфейсом PCIe 3x4 и буфером DRAM

Линейка включает модели объемом 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ

Компания Wilk Elektronik SA, которой принадлежит марки Goodram и IRDM, представила новую линейку твердотельных накопителей IRDM M.2, оснащенных интерфейсом PCIe 3x4 и буфером DRAM. Накопители поддерживают протокол NVMe 1.3.

Как утверждается, эти накопители в шесть раз превосходят по производительности SSD с интерфейсом SATA 6 Гбит/с, а наличие буфера DRAM повышает стабильность работы под нагрузкой.

В накопителях используется флеш-память TLC 3D NAND и восьмиканальный контроллер Phison E12. Линейка включает модели объемом 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Скорость последовательного чтения в случае SSD объемом 256 ГБ достигает 3000 МБ/с, в остальных случаях — 3200 МБ/с. Скорость последовательной записи в случае SSD объемом 256 ГБ достигает 1000 МБ/с, в случае SSD объемом 512 ГБ — 2000 МБ/с. Накопители объемом 1 и 2 ТБ записывают данные со скоростью до 3000 МБ/с.

Производительность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения достигает 149 000 IOPS в случае SSD объемом 256 ГБ, 295 000 IOPS в случае SSD объемом 512 ГБ, 250 000 IOPS в случае SSD объемом 1 ТБ и 490 000 IOPS в случае SSD объемом 2 ТБ. Производительность на операциях с произвольным доступом в режиме записи достигает 250 000 IOPS в случае SSD объемом 256 ГБ и 500 000 IOPS для всех остальных объемов.